Mga katangiang elektrikal
Grade | Eff(%) | Pmpp(W) | Vmpp(V) | Impp(A) | Voc(V) | Isc(A) | FF(%) |
1 | 23.1 | 6.34 | 0.597 | 10.62 | 0.693 | 11.151 | 82.1 |
2 | 23 | 6.31 | 0.596 | 10.6 | 0.692 | 11.132 | 82.01 |
3 | 22.9 | 6.28 | 0.595 | 10.58 | 0.691 | 11.112 | 81.98 |
4 | 22.8 | 6.25 | 0.594 | 10.55 | 0.69 | 11.097 | 81.84 |
5 | 22.7 | 6.22 | 0.593 | 10.52 | 0.689 | 11.077 | 81.74 |
6 | 22.6 | 6.2 | 0.592 | 10.49 | 0.688 | 11.056 | 81.64 |
7 | 22.5 | 6.17 | 0.591 | 10.46 | 0.687 | 11.036 | 81.54 |
8 | 22.4 | 6.14 | 0.59 | 10.42 | 0.686 | 11.021 | 81.32 |
9 | 22.3 | 6.11 | 0.589 | 10.4 | 0.685 | 11.001 | 81.29 |
10 | 22.2 | 6.09 | 0.588 | 10.37 | 0.684 | 10.981 | 81.18 |
11 | 22.1 | 6.07 | 0.587 | 10.34 | 0.683 | 10.96 | 81.08 |
Sa ilalim ng karaniwang kondisyon ng pagsubok: 1000W/㎡,AM1.5, 25℃ Mga koepisyent ng temperatura Mga koepisyent ng temperatura ng boltahe ng bukas na circuit: -0.36%/K Mga koepisyent ng temperatura ng kasalukuyang short circuit: 0.07%/K Mga koepisyent ng temperatura ng pinakamataas na kapangyarihan: -0.38%/K |
Mga katangiang mekanikal
Dimensyon: 166mm×166mm±0.25mm; Kapal ng Cell: 180±20µm |
Front side: Silicon oxide blue silicon nitride compound anti-reflection coating (Libre ng PID); Ang lapad ng busbar ay 0.1±0.05mm; Ang ulo ng busbar ay sanga; Ang bilang ng daliri ay 128; Ang harap na bahagi ng solar cell ay idinisenyo bilang isang kalahating sheet |
Likod na bahagi: Passivated Emitter (AIOx at SiNx dual layer) contact sa likuran; Ang lapad at haba ng Ag electrode ay 1.1±0.1mm, at ang bilang ng aluminum busbar ay 9; Ang bilang ng aluminum finger ay 134; |
Solderability: (Lakas ng alisan ng balat) ≥1.0N/mm Maaaring mag-iba ang mga resulta depende sa mga kundisyon |